MOSFET(包括SiC-MOSFET)在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言,体二极管的性能是其中一个重要参数,在实际应用中起着至关重要的作用。
每个MOSFET都带有一个内部二极管,该二极管跨接在它们的漏源极引脚之间。二极管阳极与源极相连,而阴极引脚与器件的源极引脚相连。因MOSFET配置在桥接网络中,二极管也配置成基本的全桥整流器网络格式。用几个继电器,实现快速转换,以使电网AC能够通过MOSFET二极管为电池充电。实际上,MOSFET内部二极管,此种桥式整流器网络结构,用单个变压器作为逆变器变压器和充电器变压器的过程简单。
刚开始制造的晶体管使用金属栅极。 随着时间的增长,晶体管的栅极被改变,多晶硅正在被使用。 MOS的中间中间层由通常被称为栅极氧化物的氧化硅绝缘薄膜制成。 较低层的层掺杂有硅树脂。如果我们应用一个 负电压 在栅极中,栅极上产生负电荷。 在栅极之外,随着迁移率载流子带正能量,空穴被吸引到该区域。 这称为累积模式。