在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外,还掌握在应用中如何保护器件,不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合,又加上因大面积带来的大电容,所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说,它还存在一个导通区的扩展问题,所以也带来相当严格的限制。
FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路,该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常,在经典工作情况下,GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET,JFET,金属半导体FET(MESFET)和异质结构FET。 在这些FET中,MOSFET是重要的晶体管之一,通常用于各种应用。
为了正常工作,MOSFET 保持正温度系数。这意味着几乎没有热失控的机会。通态损耗较低,因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。此外,由于 MOSFET 可以在高频下工作,它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。