宝山好用的FRED快恢复二极管供应商

选择具有优良电气特性的功率二极体，是实现率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号，其电压范围为600V-1200V，适合应用于各种电源系统中做为整流或续流的功能。

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，直插超快速恢复作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。

芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。

FRED二极管在整个工作温度范围内性能稳定，并且对于温度的变化，正向电压降的变化可以忽略不计。该二极管是为高频应用设计的，在高频应用时稳定可靠。由于单个芯片通态电流较小，大电流情况下一般并联使用，组成大电流快恢复二极管模块。由于是并联使用，模块的反向恢复时间要比单个芯片的长。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode,简称FRD)是一种具有快速反向恢复时间的二极管。它在电源电路和高速开关电路中应用广泛，可以提高整流效率、降低电源噪声、减少开关损耗，提高电路的可靠性和稳定性。
快恢复二极管与常规的二极管结构类似，由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域，形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时，由于反型层的存在，使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出，从而缩短反向恢复时间。
相对于普通二极管，快恢复二极管具有以下优点
(1)反向恢复时间更短:快恢复二极管的反向恢复时间小可达几十纳秒,而普通二极管则需要数微秒的时间才能反向恢复。这使得快恢复二极管适用于高频、高速和精密电路中。
(2)适用于高速开关电路:快恢复二极管的快速反向恢复时间和低电容使得它可以承受高速、高频的开关操作而普通二极管则不能满足这些要求。
(3)减小波动峰值电压:快恢复二极管在反向恢复时波动峰值电压比较稳定，不容易产生高频振荡，而普通二极管在反向恢复时波动峰值电压明显下降，容易产生高频振荡。
(4)提高整流效率:快恢复二极管的反向恢复时间短，可降低电源电路中的开关损耗和尖锐的电流冲击，从而提高整流效率。