SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。
但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。
LOW VF肖特基二极管的优点是降低电源的无效损耗可以提高电源的转换效率。lowvf肖特基二极管的功能与传统肖特基二极管相同,两者的区别在于VF值和沟槽工艺。LOW VF肖特基二极管是一种正向导通器件,VF是一种直流电压降,也就是工作过程中产生的损耗,损耗越低越好。
LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小,其频率响应只受RC时间常数的限制,因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。