同普通硅二极管一样,肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是,普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用,它是以多数载流子工作的整流器件,因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以,肖特基二极管的开关速度非常快,反向恢复时间trr很短 (小于几十ns);同时,其正向压降V F 较小,尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路,具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压V R 较低,一般只有 100V 左右;二是反向漏电流IR 较大。
LOW VF肖特基二极管是一种正向压降比普通肖特基二极管低的半导体器件。它可以理解为性能更好、压降更低的升级肖特基二极管。因此,LOW VF肖特基二极管的压降越低,效率越高。因此,电压降越低,发热越低,LOW VF肖特基二极管的工作效率越高。
LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小,其频率响应只受RC时间常数的限制,因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。