安徽SBT10L100DCLOWVF肖特基二极管

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间trr很短 (小于几十ns)；同时，其正向压降V F 较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R 较低，一般只有 100V 左右；二是反向漏电流IR 较大。

肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管，具有以下特点：

正向电压下具有极低的正向压降（仅为0.2V左右），因此具有快速开关特性，被广泛应用于高频电路中。
反向电流大，但有稳定的温度特性和阻挡电容特性，适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强，是航空航天领域常用器件之一。
肖特基二极管能够在电路中起到以下作用：

高速开关：具有快速响应、低压降等特性，被广泛应用于射频等高频场合。
稳压、稳流：阻抗随电压变化小，因此可用于制作精度高的稳定电源和限流器等，同时由于反向漏电流很小，也适用于检测电路。
信号检测：由于二极管具有阻挡电容特性，在高频条件下可作为功率检测器、频谱分析仪等设备的输入元件。
LOW VF肖特基二极管的优点是降低电源的无效损耗可以提高电源的转换效率。lowvf肖特基二极管的功能与传统肖特基二极管相同，两者的区别在于VF值和沟槽工艺。LOW VF肖特基二极管是一种正向导通器件，VF是一种直流电压降，也就是工作过程中产生的损耗，损耗越低越好。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流，甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频，以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路，如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流，并广泛应用于高速计算机中。
LOW VF肖特基二极管在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检测二极管。它常用于通信电源、变频器等。一个典型的应用是，在双极晶体管BJT的开关电路中，LOW VF肖特基二极管连接到BJT箝位电路，使得晶体管在导通状态时实际上处于非常关断的状态，从而提高晶体管的开关速度。该方法适用于典型数字集成电路的TTL内部电路，如74LS、74ALS和74AS。