安徽MOSFET二极管现货供应

MOSFET（包括SiC-MOSFET）在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言，体二极管的性能是其中一个重要参数，在实际应用中起着至关重要的作用。

MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部，并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管，通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏，保护MOSFET。

每个MOSFET都带有一个内部二极管，该二极管跨接在它们的漏源极引脚之间。二极管阳极与源极相连，而阴极引脚与器件的源极引脚相连。因MOSFET配置在桥接网络中，二极管也配置成基本的全桥整流器网络格式。用几个继电器，实现快速转换，以使电网AC能够通过MOSFET二极管为电池充电。实际上，MOSFET内部二极管，此种桥式整流器网络结构，用单个变压器作为逆变器变压器和充电器变压器的过程简单。

功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

刚开始制造的晶体管使用金属栅极。 随着时间的增长，晶体管的栅极被改变，多晶硅正在被使用。 MOS的中间中间层由通常被称为栅极氧化物的氧化硅绝缘薄膜制成。 较低层的层掺杂有硅树脂。如果我们应用一个 负电压 在栅极中，栅极上产生负电荷。 在栅极之外，随着迁移率载流子带正能量，空穴被吸引到该区域。 这称为累积模式。
为了正常工作，MOSFET 保持正温度系数。这意味着几乎没有热失控的机会。通态损耗较低，因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。此外，由于 MOSFET 可以在高频下工作，它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。