来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2025-01-15 05:38:14 [举报]
用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管(FRD),能够明显减少恢复损耗,有利于开关电源的高频化,减小电感、变压器等被动元件的体积,使开关电源小型化,并降低产品噪音。
肖特基二极管,又称热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。
特点是:
(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小;
(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V;
(3)碳化硅有较高的热导率;
(4)碳化硅器件可在较高温度下工作,而硅器件的大工作温度仅为150ºC;
(5)碳化硅具有很高的抗辐照能力;
(6)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,可靠性好;
(7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复电流小,开关损耗小;
(8)碳化硅器件可减少功率器件体积和降低电路损耗。
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