东莞销售LOWVF肖特基二极管报价

来源：广东佳讯电子有限责任公司 时间：2025-02-04 19:10:38 [举报]

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值大可以到200V。

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基二极管，也被称为肖特基势垒二极管或热载流子二极管，是一种利用金属与半导体接触形成的具有整流特性的器件。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管具有更低的正向压降和更快的开关速度，使其在高频、低功耗领域具有广泛的应用前景。

肖特基二极管在PCB电路设计与SMT贴片生产制造中具有以下优势：

提高电路效率：低正向压降有助于降低电路功耗，提高电路效率。
简化电路设计：快开关速度使得电路设计更为简化，减少了电路中的元件数量和复杂性。
提高可靠性：耐高温性能使得肖特基二极管在恶劣环境下仍能稳定工作，提高了电路的可靠性。
肖特基二极管是一种半导体电子器件，由一个金属和一个半导体P型材料组成。与普通二极管不同，它的正向压降较小，反向漏电流极低。它通常用于高频电路、开关电源、电压稳压器等电子设备中。
肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管，具有以下特点：

正向电压下具有极低的正向压降（仅为0.2V左右），因此具有快速开关特性，被广泛应用于高频电路中。
反向电流大，但有稳定的温度特性和阻挡电容特性，适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强，是航空航天领域常用器件之一。
肖特基二极管能够在电路中起到以下作用：

高速开关：具有快速响应、低压降等特性，被广泛应用于射频等高频场合。
稳压、稳流：阻抗随电压变化小，因此可用于制作精度高的稳定电源和限流器等，同时由于反向漏电流很小，也适用于检测电路。
信号检测：由于二极管具有阻挡电容特性，在高频条件下可作为功率检测器、频谱分析仪等设备的输入元件。
LOW VF肖特基二极管的优点是降低电源的无效损耗可以提高电源的转换效率。lowvf肖特基二极管的功能与传统肖特基二极管相同，两者的区别在于VF值和沟槽工艺。LOW VF肖特基二极管是一种正向导通器件，VF是一种直流电压降，也就是工作过程中产生的损耗，损耗越低越好。

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