绍兴生产销售FRED快恢复二极管报价

来源：广东佳讯电子有限责任公司 时间：2025-01-06 20:10:18 [举报]

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。

、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源，对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。

快速管主要按恢复时间快慢分为三种，分别为75-500ns（快恢复FR系列）、35-75ns（高频HER系列）、35ns以内（超快恢复SF系列）。电压为200-1200V，电压一定恢复时间越快其正向压降越大。同样道理电压选型较大的方案上会加大做小恢复时间的难度。传统超快恢复二极管TRR在35ns以内，电压只做到600V。我司目前已推出三款高压超快恢复二极管芯片800V、1000V、1200V 电流分布区间为3-20A,可适用于所有封装外形。

快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术，其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。

芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。
FRED二极管在整个工作温度范围内性能稳定，并且对于温度的变化，正向电压降的变化可以忽略不计。该二极管是为高频应用设计的，在高频应用时稳定可靠。由于单个芯片通态电流较小，大电流情况下一般并联使用，组成大电流快恢复二极管模块。由于是并联使用，模块的反向恢复时间要比单个芯片的长。
在二极管中，超快恢复二极管是一个不可或缺的存在。由于仅有几十纳秒级的反向恢复时间，同时能够禁受得住几百伏甚至上千伏的反向高压，所以它们一直在中高功率的开关整流应用中大显身手。
相对于普通二极管，快恢复二极管具有以下优点
(1)反向恢复时间更短:快恢复二极管的反向恢复时间小可达几十纳秒,而普通二极管则需要数微秒的时间才能反向恢复。这使得快恢复二极管适用于高频、高速和精密电路中。
(2)适用于高速开关电路:快恢复二极管的快速反向恢复时间和低电容使得它可以承受高速、高频的开关操作而普通二极管则不能满足这些要求。
(3)减小波动峰值电压:快恢复二极管在反向恢复时波动峰值电压比较稳定，不容易产生高频振荡，而普通二极管在反向恢复时波动峰值电压明显下降，容易产生高频振荡。
(4)提高整流效率:快恢复二极管的反向恢复时间短，可降低电源电路中的开关损耗和尖锐的电流冲击，从而提高整流效率。

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