来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2025-01-20 20:10:39 [举报]
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快,能够有效降低产品成本、体积及重量。
用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管(FRD),能够明显减少恢复损耗,有利于开关电源的高频化,减小电感、变压器等被动元件的体积,使开关电源小型化,并降低产品噪音。
肖特基二极管是用于功率整流器应用的佳半导体器件,因为这些器件具有高电流密度和低正向电压降,与普通PN结器件的特性不同。这些优点有助于降低热量水平,减少设计中包含的散热器,并提高电子系统的整体效率。
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