来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2024-12-15 17:08:25 [举报]
1999年初,Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器,其输出功率为5mw,发射波长为400nm,工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器,波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比,如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器,则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4-5倍,因此,宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。
GaN材料由于缺乏合适的体单晶衬底,只有采用异质外延技术。商业化的半导体绝大多数是采用体材料,GaN材料是一个例外,它用异质外延材料成功地做成了器件。
氮化镓,分子式GaN,英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物,镓是一种具有直接带隙的半导体材料,自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿,其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙,可用于大功率、高速的光电元件,其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。
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