来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2025-01-23 17:26:49 [举报]
1999年初,Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器,其输出功率为5mw,发射波长为400nm,工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器,波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比,如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器,则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4-5倍,因此,宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。
氮化镓(化学式GaN)被称为“半导体材料”,可用于制造用途广泛、性能强大的新一代微芯片。属于所谓的宽禁带,而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV(电子伏)的半导体,它是一种用于发展率、大功率微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
GaN具有较宽的禁带宽度(3.4eV),以蓝宝石等材料为衬底,具有良好的散热性能,有利于器件在高功率条件下的工作。随着III族氮化物材料和器件研发的不断深入,GaInN蓝光和绿光LED技术已经商业化,现在全球各大公司和研究机构都投入巨资研发蓝光LED的竞争。
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