来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2024-10-28 06:02:08 [举报]
每个MOSFET都带有一个内部二极管,该二极管跨接在它们的漏源极引脚之间。二极管阳极与源极相连,而阴极引脚与器件的源极引脚相连。因MOSFET配置在桥接网络中,二极管也配置成基本的全桥整流器网络格式。用几个继电器,实现快速转换,以使电网AC能够通过MOSFET二极管为电池充电。实际上,MOSFET内部二极管,此种桥式整流器网络结构,用单个变压器作为逆变器变压器和充电器变压器的过程简单。
功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
MOSFET 是一个三端(栅极、漏极和源极)全控开关。栅极/控制信号发生在栅极和源极之间,其开关端为漏极和源极。栅极本身由金属制成,使用金属氧化物与源极和漏极分开。这可以减少功耗,并使晶体管成为用作电子开关或共源放大器的选择。
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