江苏供应MOSFET二极管厂家

来源：广东佳讯电子有限责任公司 时间：2025-01-19 17:15:03 [举报]

MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部，并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管，通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏，保护MOSFET。

功率MOSFET场效应管从驱动模式上看，属于电压型驱动控制元件，驱动电路的设计比较简单，所需驱动功率很小。采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。

在硅基MOSFET中，GATE端子通常由特定的SiO2层绝缘。 导电通道的电荷载流子产生相反的电荷，在这种情况下，n通道为e型p型衬底，p通道为n型衬底“空穴”。 这将通过在GATE端子上施加电压在硅绝缘体边缘的半导体中感应到。 e-将进入和离开n +源极和漏极端子的通道，此通道为n通道金属氧化物半导体场效应晶体管。 在p型金属氧化物半导体场效应晶体管期间，这将是p +触点。

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