来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2024-10-07 06:01:19 [举报]
MOSFET中用内部二极管,保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部,并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管,通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏,保护MOSFET。
每个MOSFET都带有一个内部二极管,该二极管跨接在它们的漏源极引脚之间。二极管阳极与源极相连,而阴极引脚与器件的源极引脚相连。因MOSFET配置在桥接网络中,二极管也配置成基本的全桥整流器网络格式。用几个继电器,实现快速转换,以使电网AC能够通过MOSFET二极管为电池充电。实际上,MOSFET内部二极管,此种桥式整流器网络结构,用单个变压器作为逆变器变压器和充电器变压器的过程简单。
作为多数载流子器件,MOSFET在其源极和漏极之间承载电流。 该晶体管通过施加到相应 MOS 栅极的常规电压进行调节。 在 n-MOSFET中,电子充当多数载流子,而在 p-MOSFET中,空穴充当多数载流子。
刚开始制造的晶体管使用金属栅极。 随着时间的增长,晶体管的栅极被改变,多晶硅正在被使用。 MOS的中间中间层由通常被称为栅极氧化物的氧化硅绝缘薄膜制成。 较低层的层掺杂有硅树脂。如果我们应用一个 负电压 在栅极中,栅极上产生负电荷。 在栅极之外,随着迁移率载流子带正能量,空穴被吸引到该区域。 这称为累积模式。
MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
MOSFET 是一个三端(栅极、漏极和源极)全控开关。栅极/控制信号发生在栅极和源极之间,其开关端为漏极和源极。栅极本身由金属制成,使用金属氧化物与源极和漏极分开。这可以减少功耗,并使晶体管成为用作电子开关或共源放大器的选择。
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