肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压高只到50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值大可以到200V。
肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式,有A~19种管脚引出方式。
肖特基二极管能够在电路中起到以下作用:
高速开关:具有快速响应、低压降等特性,被广泛应用于射频等高频场合。
稳压、稳流:阻抗随电压变化小,因此可用于制作精度高的稳定电源和限流器等,同时由于反向漏电流很小,也适用于检测电路。
信号检测:由于二极管具有阻挡电容特性,在高频条件下可作为功率检测器、频谱分析仪等设备的输入元件。
LOW VF肖特基二极管的优点是降低电源的无效损耗可以提高电源的转换效率。lowvf肖特基二极管的功能与传统肖特基二极管相同,两者的区别在于VF值和沟槽工艺。LOW VF肖特基二极管是一种正向导通器件,VF是一种直流电压降,也就是工作过程中产生的损耗,损耗越低越好。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流,甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频,以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路,如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流,并广泛应用于高速计算机中。
LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小,其频率响应只受RC时间常数的限制,因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。