来源:广东佳讯电子有限责任公司 时间:2024-12-03 18:37:52 [举报]
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。
但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。
在使用肖特基二极管时,需要注意以下几点:
选择合适的型号:根据实际应用场景选择合适的肖特基二极管型号,以确保其性能满足需求。
控制正向电流:肖特基二极管的正向电流较大时,会产生较大的热量,需要合理控制正向电流以防止过热损坏。
注意反向电压:肖特基二极管的反向击穿电压较低,需要避免过高的反向电压以免损坏器件。
肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管,具有以下特点:
正向电压下具有极低的正向压降(仅为0.2V左右),因此具有快速开关特性,被广泛应用于高频电路中。
反向电流大,但有稳定的温度特性和阻挡电容特性,适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强,是航空航天领域常用器件之一。
肖特基(Schottky)二极管的大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流,甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频,以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路,如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流,并广泛应用于高速计算机中。
LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小,其频率响应只受RC时间常数的限制,因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。
标签:LOWVF肖特基二极管