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MOSFET二极管 |
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MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。
刚开始制造的晶体管使用金属栅极。 随着时间的增长，晶体管的栅极被改变，多晶硅正在被使用。 MOS的中间中间层由通常被称为栅极氧化物的氧化硅绝缘薄膜制成。 较低层的层掺杂有硅树脂。如果我们应用一个 负电压 在栅极中，栅极上产生负电荷。 在栅极之外，随着迁移率载流子带正能量，空穴被吸引到该区域。 这称为累积模式。
MOSFET 是一个三端（栅极、漏极和源极）全控开关。栅极/控制信号发生在栅极和源极之间，其开关端为漏极和源极。栅极本身由金属制成，使用金属氧化物与源极和漏极分开。这可以减少功耗，并使晶体管成为用作电子开关或共源放大器的选择。
| 主营行业：齐纳二极管 |
| 公司主营：高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：有限责任公司 |
| 注册资金：人民币1000万 |
| 公司成立时间：2007-12-13 |
| 员工人数：51 - 100 人 |
| 研发部门人数：11 - 50 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 最近年检时间：2024年 |
| 经营范围：电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司邮编：523000 |
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