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超快恢复二极管(SRD )是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点超快恢复二极管 SRD则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间已接近于肖 特基二极管的指标。它可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电 动机变频调速(V/VF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管.
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了t值,还降低了瞬态正向 压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向 压降约为 0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小,使其 trr可低至几十纳秒。
注意事项:
(1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。
(2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。
(3)测正向导通压降时,使用 Rx1档。若用 Rx1k档,因测试电流太小,远低于管子的正 常工作电流
快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种主要应用于功率变换电路中的二极管,它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态,并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种,与常规二极管相比,其恢复时间更短,符合功率系统对于高频和的需求。
快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下,PN 结进入导通状态;在反向偏置下,PN 结处于截止状态。而在开关过程中,如果仅对快速的电压反转产生响应,就需要使快恢复二极管处于反向偏置,在这个过程中,快恢复二极管会从截止状态变成导通状态,从而完成反向电流的捕获,并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷,然后通过晶体管将这种载体导出,继续增强元器件的恢复速度。因此,快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。
高压整流二极管系列产品是由多个微型单元 PN 结芯片掺杂特殊金属采用工艺及嵌入式散热专利技术组合构成的高压整流器件,实现耐高电压和大电流的层状单元结构。
高压二极管检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压二极管,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压二极管已软击穿损坏。
高压整流二极管是一种特殊的半导体器件,主要用于高电压交流到直流的转换。它由PN结构构成,具有单向导电特性,可以在大电压和大电流条件下工作。高压整流二极管的结构包括金属电极、半导体材料、隔离层等,能够承受高达数千伏的反向电压,在整流电路中扮演着至关重要的角色。
高压整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性。当正向偏压加在二极管上时,PN结导通,电流能够顺利通过;而当反向偏压加在二极管上时,PN结截止,电流无法通过。这种特性使得高压整流二极管能够将交流电转换为单向脉动的直流电。在电力传输、电子设备电源等领域广泛应用。
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主要产品有LowVF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括:DO系列、17-02。贴 片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS、MSB、DB、HBS、YBS。PDFN5*6-8L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-262、TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯,电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。
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