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肖特基二极管，一种与传统PN结二极管不同的电子元件，借助金属和半导体之间的势垒效应产生整流效果。在电子学中，这种接触被称为“金属半导体结”，简称肖特基势垒二极管，通常被称为肖特基二极管。主要采用硅（Si）半导体材料制造，也有少量使用砷化镓（GaAs）制作的。
肖特基二极管结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
面结合型管性能要优于点接触管,
主要原因在于:
1) 点接触管表面不易清洁，针点压力会造成半导体表面畸变。其接触势垒不是理想的肖特基势垒受到机械震动时还会产生颤抖噪声。面结合型管金半接触界面比较平整不暴露而较易清洁其接触势垒几乎是理想的肖特基势垒。
2) 不同的点接触管在生产时压接压力不同使得肖特基结的直径不同。因此性能一致性差可靠性也差。
