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FRED快恢复二极管 |
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选择具有优良电气特性的功率二极体，是实现率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号，其电压范围为600V-1200V，适合应用于各种电源系统中做为整流或续流的功能。
选用快恢复二极管考虑方案位置频率与器件恢复时间上的匹配，其次选择峰值电压多出30%以上的耐压器件型号，终考虑方案对应位置电流的正向压降值在匹配的适当区间。
芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。
快恢复二极管与常规的二极管结构类似，由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域，形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时，由于反型层的存在，使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出，从而缩短反向恢复时间。
在高速开关电路中，快恢复二极管被用于保护其他器件不受到过高的反向电压和尖锐的反向电流冲击。当一个开关瞬间关闭时，电感会产生反向电动势，如果没有快速反向恢复时间的二极管对其进行保护，那么反向电流就会通过其他器件，导致它们被损坏。而快恢复二极管可以快速将反向电流截至，从而保护其他器件。
随着电子技术的不断发展，人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来，快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度，以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流，提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度，以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能，以适应更严苛的环境要求。
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