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GaN属III-V族氮化物材料，是一种极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料（熔点约为1700℃）。通常条件下，GaN以六方对称性纤锌矿2H结构存在, 它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿3C结构存在。从晶体学上讲，两种结构的主要区别在于沿(111)晶向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm；立方GaN的晶格常数公认的数值为 0.452nm 左右。Ga溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。
GaN材料由于缺乏合适的体单晶衬底，只有采用异质外延技术。商业化的半导体绝大多数是采用体材料，GaN材料是一个例外，它用异质外延材料成功地做成了器件。
氮化镓（GaN，gallium nitride）是一种具有半导体特性的化合物，其研究可追溯到上世纪九十年代。使用GaN制造的电子组件包括二极管，晶体管和放大器，它与硅（这也是此前我们听过的流行的一种半导体材料）属于同一元素周期族。GaN具有更宽的“带隙（band-gap）”，带隙本质上衡量的是能量通过材料的难易程度，因此与硅基电子产品相比具有许多优势。
