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上海供应MOSFET二极管厂家

更新时间:2024-10-12 06:17:57 编号:ca3u5f9e6769fb
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功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时,寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动,有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容(它是dv/dt的通道)都予以注意。瞬态情况是和线路情况密切相关的,这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解,才能有利于理解和分析相应的问题。

MOSFET 是一个三端(栅极、漏极和源极)全控开关。栅极/控制信号发生在栅极和源极之间,其开关端为漏极和源极。栅极本身由金属制成,使用金属氧化物与源极和漏极分开。这可以减少功耗,并使晶体管成为用作电子开关或共源放大器的选择。

为了正常工作,MOSFET 保持正温度系数。这意味着几乎没有热失控的机会。通态损耗较低,因为理论上晶体管的通态电阻没有限制。此外,由于 MOSFET 可以在高频下工作,它们可以执行快速开关应用而关断损耗很小。

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详细资料

主营行业:齐纳二极管
公司主营:高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅
主营地区:中国
企业类型:有限责任公司
注册资金:人民币1000万
公司成立时间:2007-12-13
员工人数:51 - 100 人
研发部门人数:11 - 50 人
经营模式:生产型
最近年检时间:2024年
经营范围:电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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