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马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管 |
面向地区 |
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SiC 肖特基势垒二极管在 1985 年问世,是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的,它的肖特基势垒高度用电容测量是 1.15 (±0.15) eV,用光响应测量是 1.11 (±0.03) eV,它的击穿电压只有8 V,只6H-SiC肖特基二极管的击穿电压大约有200 V,它是由 Glover. G. H 报道出来的。Bhatnagar 报道了个高压 400 V 6H-SiC 肖特基势垒二极管 ,这个二极管有低通态压降(1 V),没有反向恢复电流。随着碳化硅单晶、外延质量及碳化硅工艺水平不断地不断提高,越来越多性能的碳化硅肖特基二极管被报道。1993 年报道了只击穿电压超过 1000V的碳化硅肖特基二极管,该器件的肖特基接触金属是 Pd,它采用 N 型外延的掺杂浓度1×10cm,厚度是 10μm。的4H-SiC单晶的在 1995 年左右出现,它比6H-SiC的电子迁移率要高,临界击穿电场要大很多,这使得人们更倾向于研究4H-SiC的肖特基二极管。
金属与半导体接触时,载流子流经肖特基势垒形成的电流主要有四种输运途径。这四种输运方式为:
1、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子越过势垒顶部热发射到金属;
2、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子以量子力学隧穿效应进入金属;
3、空间电荷区中空穴和电子的复合;
4、4H-SiC 半导体与金属由于空穴注入效应导致的的中性区复合。
碳化硅(SiC)是一种的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的器件。
主营行业:齐纳二极管 |
公司主营:高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅--> |
主营地区:中国 |
企业类型:有限责任公司 |
注册资金:人民币1000万 |
公司成立时间:2007-12-13 |
员工人数:51 - 100 人 |
研发部门人数:11 - 50 人 |
经营模式:生产型 |
最近年检时间:2024年 |
经营范围:电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
是否提供OEM:是 |
公司邮编:523000 |
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