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反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
芯片的接触区域真空沉积金属层,实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后,自动标识不符合电气说明的芯片,然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。
在二极管中,超快恢复二极管是一个不可或缺的存在。由于仅有几十纳秒级的反向恢复时间,同时能够禁受得住几百伏甚至上千伏的反向高压,所以它们一直在中高功率的开关整流应用中大显身手。
相对于普通二极管,快恢复二极管具有以下优点
(1)反向恢复时间更短:快恢复二极管的反向恢复时间小可达几十纳秒,而普通二极管则需要数微秒的时间才能反向恢复。这使得快恢复二极管适用于高频、高速和精密电路中。
(2)适用于高速开关电路:快恢复二极管的快速反向恢复时间和低电容使得它可以承受高速、高频的开关操作而普通二极管则不能满足这些要求。
(3)减小波动峰值电压:快恢复二极管在反向恢复时波动峰值电压比较稳定,不容易产生高频振荡,而普通二极管在反向恢复时波动峰值电压明显下降,容易产生高频振荡。
(4)提高整流效率:快恢复二极管的反向恢复时间短,可降低电源电路中的开关损耗和尖锐的电流冲击,从而提高整流效率。
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主要产品有LowVF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括:DO系列、17-02。贴 片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS、MSB、DB、HBS、YBS。PDFN5*6-8L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-262、TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯,电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。
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