关键词 |
马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管 |
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MOSFET中用内部二极管,保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部,并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管,通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏,保护MOSFET。
功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
工作原理
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。
功率MOSFET场效应管从驱动模式上看,属于电压型驱动控制元件,驱动电路的设计比较简单,所需驱动功率很小。采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关,在启动或稳态工作条件下,功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。
在硅基MOSFET中,GATE端子通常由特定的SiO2层绝缘。 导电通道的电荷载流子产生相反的电荷,在这种情况下,n通道为e型p型衬底,p通道为n型衬底“空穴”。 这将通过在GATE端子上施加电压在硅绝缘体边缘的半导体中感应到。 e-将进入和离开n +源极和漏极端子的通道,此通道为n通道金属氧化物半导体场效应晶体管。 在p型金属氧化物半导体场效应晶体管期间,这将是p +触点。